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I D25
PolarHV TM
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Fast Recovery Diode
Avalanche Rated
IXFH26N60P
IXFT26N60P
IXFV26N60P
IXFV26N60PS
V DSS = 600 V
= 26 A
R DS(on) ≤ 270 m Ω
t rr ≤ 200 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-247 (IXFH)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M Ω
600
600
V
V
V GSS
V GSM
Continuous
Transient
± 30
± 40
V
V
G
D
S
I D25
T C = 25 ° C
26
A
I DM
I AR
E AR
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
65
13
40
A
A
mJ
TO-268 (IXFT)
E AS
T C = 25 ° C
1.2
J
G
S
D (TAB)
dv/dt
P D
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS
T J ≤ 150 ° C, R G = 5 Ω
T C = 25 ° C
10
460
V/ns
W
PLUS220 (IXFV)
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
G
D
S
D (TAB)
T L
T SOLD
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
300
260
° C
° C
PLUS220SMD (IXFV...S)
M d
Mounting torque (TO-3P&TO-247)
1.13/10 Nm/lb.in.
F C
Mounting force (PLUS220)
11..65/2.5..15
N/lb
Weight
TO-247
TO-268
6.0
5.0
g
g
G
PLUS220 & PLUS220SMD
4.0
g
S
D (TAB)
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
Features
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
600
V
Fast Recovery diode
Unclamped Inductive Switching (UIS)
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 30 V, V DS = 0 V
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
2.5
5.0
± 100
25
250
V
nA
μ A
μ A
rated
International standard packages
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Advantages
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
270
m Ω
Easy to mount
Space savings
High power density
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99435E(12/06)
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